PCMAG ghi nhận VSP vừa chính thức ra mắt dòng nguồn mới Elite VS650D V4, định hướng thay thế cho các sản phẩm 650W trước đây như Elite VS650D và Elite V650P-V2/V3 đang được phân phối tại thị trường Việt Nam. Ở phiên bản V4, VSP đã có những nâng cấp đáng chú ý về hiệu năng khi trang bị mạch DC to DC giúp ổn định điện áp tốt hơn và tối ưu hiệu suất hoạt động, với mức hiệu suất tối đa được hãng cam kết đạt 89% @230V.

Bên cạnh đó, chất lượng linh kiện cũng được cải thiện khi toàn bộ tụ hóa đều sử dụng thương hiệu Nhật Bản, góp phần nâng cao độ bền và độ ổn định trong quá trình vận hành lâu dài.

I. Hộp và phụ kiện VSP Elite VS650D V4 650W

Hộp đựng của VSP Elite VS650D V4 có kích thước vừa phải, thiết kế hai lớp chắc chắn với tông màu đỏ – đen nổi bật, tạo cảm giác cứng cáp và hiện đại. Toàn bộ thông số kỹ thuật chi tiết của sản phẩm được in rõ ràng ở mặt sau lớp hộp carton bên trong, giúp người dùng dễ dàng theo dõi và kiểm tra cấu hình trước khi lắp đặt.

Phụ kiện đi kèm theo bộ nguồn bao gồm: 01 dây nguồn chuẩn EU, 04 ốc cố định PSU, 02 dây rút (zip tie) hỗ trợ đi dây gọn gàng bên trong thùng máy và 01 sách hướng dẫn sử dụng (HDSD). Bộ phụ kiện ở mức cơ bản, đáp ứng đầy đủ nhu cầu lắp đặt cho người dùng phổ thông.

II. PSU VSP Elite VS650D V4 650W

1. Bên ngoài

VSP Elite VS650D V4 sở hữu kích thước chuẩn ATX phổ thông, lớp vỏ được phủ sơn tĩnh điện màu đen tạo cảm giác cứng cáp và đồng bộ với đa số case hiện nay. Bộ nguồn sử dụng quạt làm mát kích thước 120mm, đảm bảo khả năng tản nhiệt ổn định trong quá trình vận hành. Thiết kế lưới bảo vệ quạt vẫn giữ phong cách quen thuộc tương tự các thế hệ Elite trước đây, mang lại sự đồng nhất trong ngôn ngữ thiết kế của dòng sản phẩm.

Bộ nguồn có công suất danh định 650W, sử dụng thiết kế single rail 12V với công suất tối đa lên tới 650W cho đường 12V, đáp ứng tốt nhu cầu của các cấu hình sử dụng VGA rời. Sản phẩm được trang bị Active PFC dải điện áp hẹp 180–240Vac và theo công bố từ VSP, hiệu suất hoạt động tối đa có thể đạt 89% tại 230Vac.

Hệ thống dây cáp của Elite VS650D V4 sử dụng dạng bẹ đen mềm, giúp đi dây gọn gàng và tối ưu không gian bên trong thùng máy. Cụ thể bao gồm:

• 01 cáp 24-pin Mainboard dài 50cm
• 02 cáp 4+4-pin ATX12V (CPU) dài 60cm
• 02 đầu 6+2-pin PCIe (40cm + 15cm)
• 04 đầu SATA (40cm + 15cm + 15cm)
• 02 đầu ATA (Molex) (40cm + 15cm + 15cm)

Cấu hình cáp đáp ứng tốt cho các bộ máy phổ thông đến tầm trung sử dụng 1 VGA rời.

2. Bên trong

Ở phiên bản Elite VS650D V4, VSP vẫn tiếp tục hợp tác với đối tác OEM quen thuộc XinHai để sản xuất. Bộ nguồn sử dụng nền tảng (platform) mới được giới thiệu gần đây, áp dụng thiết kế Active PFC + Dual Forward + chỉnh lưu đồng bộ (Synchronous Rectification – SR) + DC to DC, giúp cải thiện độ ổn định điện áp và tối ưu hiệu suất hoạt động so với các thế hệ trước.

Bảng linh kiện được sử dụng trên Elite VS650D V4:

Với mức công suất khoảng 650W, việc VSP trang bị mạch EMI đầy đủ gồm 2 tầng lọc cho Elite VS650D V4 được xem là sự đầu tư hợp lý. Thiết kế này giúp hạn chế nhiễu điện từ (EMI) phát ngược ra lưới điện, đồng thời giảm thiểu ảnh hưởng của nhiễu từ nguồn điện dân dụng (nếu có) tác động đến các linh kiện nhạy cảm bên trong PSU.

Ngoài ra, mạch giảm dòng khởi động (Inrush Current) sử dụng NTC 5Ω mắc song song với rơ-le, được bố trí phía trước ngõ vào của hệ thống lọc EMI. Cách thiết kế này giúp kiểm soát dòng khởi động ban đầu hiệu quả hơn, góp phần bảo vệ linh kiện và tăng độ bền cho bộ nguồn.

Cầu diode GBU2510 (25A) được bố trí để nhận luồng gió tản nhiệt trực tiếp từ quạt làm mát, giúp cải thiện khả năng giải nhiệt khi hoạt động ở tải cao. Bên cạnh đó, tụ lọc sơ cấp sử dụng tụ hóa thương hiệu Nhật Bản với thông số 390µF / 420V, chịu được mức nhiệt độ tối đa lên tới 105°C, góp phần nâng cao độ bền và sự ổn định lâu dài cho bộ nguồn.

Tầng Active PFC được trang bị một MOSFET công suất Reasunos RS25N50F, kết hợp cùng boost diode 8A đảm nhiệm vai trò nâng áp và cải thiện hệ số công suất.

Ở tầng PWM sơ cấp, bộ nguồn sử dụng một cặp MOSFET Reasunos RS20N50F, đảm nhiệm quá trình chuyển mạch chính của mạch nguồn. Cả hai tầng PFC và PWM đều được điều khiển bởi IC dao động Champion CM6805BG, giúp đồng bộ hoạt động và tối ưu hiệu suất vận hành của toàn hệ thống.

Tại khu vực chỉnh lưu đồng bộ (Synchronous Rectification) cho đường 12V duy nhất trên Elite VS650D V4, nhà sản xuất sử dụng tổ hợp 4 MOSFET Silicon Power SP85N050P (4x 120A). Thiết kế này cho hiệu suất chuyển đổi cao hơn đáng kể so với phương án dùng diode xung (Schottky) truyền thống, đồng thời giúp giảm tổn hao nhiệt và cải thiện độ ổn định khi bộ nguồn hoạt động ở mức tải cao.

Hai đường 5V và 3.3V được tạo ra từ 2 module VRM/DC to DC đặt trực tiếp ở mặt trên (top side) của bo mạch chính. Bộ nguồn sử dụng giải pháp IC NDP23A5QB – dạng tích hợp sẵn mạch dao động điều khiển và MOSFET trong cùng một chip, qua đó giúp tinh gọn thiết kế và giảm chi phí sản xuất do không cần quá nhiều linh kiện phụ trợ bên ngoài.

Tuy nhiên, giới hạn dòng tải của IC này ở mức 18A (peak) và khoảng 15A (liên tục), phù hợp với các cấu hình máy tính phổ thông đến tầm trung, nhưng sẽ không tối ưu cho những hệ thống yêu cầu tải nặng trên hai đường điện áp phụ này.

IC giám sát của bộ nguồn là Grenery GR8313F, đảm nhiệm các cơ chế bảo vệ cơ bản gồm OVP (quá áp), UVP (thấp áp) và SCP (ngắn mạch), giúp tăng độ an toàn trong quá trình vận hành.

Mạch nguồn chờ 5Vsb được xây dựng dựa trên IC combo GR8141K, tích hợp sẵn nhiều chức năng điều khiển trong cùng một giải pháp. Ở phía ngõ ra DC, toàn bộ tụ lọc đều sử dụng sản phẩm đến từ thương hiệu Toshin Kogyo (Nhật Bản), góp phần đảm bảo độ ổn định điện áp và độ bền lâu dài cho bộ nguồn.

Phần PCB của Elite VS650D V4 được hoàn thiện khá gọn gàng, bề mặt mạch in sạch sẽ. Chân linh kiện được cắt ngắn hợp lý, các mối hàn sáng và đều, thể hiện quy trình gia công tốt và tuân thủ tiêu chuẩn RoHS về an toàn môi trường.

III. Thử nghiệm PSU VSP Elite VS650D V4 650W

1. Load testing ( Thử tải)

Để đơn giản hóa bảng số liệu theo Test Plan ATX 3.0 của Intel, với bộ nguồn single rail, đường 12V được chia thành 2 nhóm tải khi kiểm tra:

• 12V1: Cấp cho toàn bộ linh kiện sử dụng 12V ngoại trừ CPU (Mainboard, PCIe, thiết bị ngoại vi…).
• 12V2: Chỉ cấp riêng cho CPU thông qua đầu ATX12V/EPS12V.

Trong quá trình thử tải, Elite VS650D V4 hoàn thành tốt ở các mức tải khác nhau, điện áp dao động luôn nằm trong giới hạn tiêu chuẩn ATX cho phép. Nhờ được trang bị thiết kế DC to DC, bộ nguồn vẫn duy trì độ ổn định tốt ngay cả ở các bài test tải lệch (crossload). Hiệu suất ghi nhận tối đa đạt 89,62% @230Vac, tương đồng với mức cam kết từ phía VSP.

2. Inrush Current Testing (Dòng khởi động)

Trong bài kiểm tra dòng khởi động, Elite VS650D V4 ghi nhận mức 78A, thuộc nhóm trung bình trong phân khúc nguồn 650W hiện nay. Đây là mức chấp nhận được và không gây ảnh hưởng đáng kể đến hệ thống điện dân dụng khi sử dụng thực tế.

3. Sync Transient Response Test (Tải biến thiên)

• Capacitance load: 3300µF cho mỗi rail (12V1, 12V2, 5V, 3.3V, 5Vsb)
• Slew rate:
  • 12V: 5A/µs (12VHPWR) hoặc 2.5A/µs
  • 5V & 3.3V: 1A/µs
  • 5Vsb: 0.1A
    (theo tiêu chuẩn Intel ATX 3.0)

Trong bài test tải biến thiên, tương tự nhiều mẫu nguồn phổ thông khác trong cùng phân khúc, Elite VS650D V4 vẫn gặp giới hạn nhẹ ở đường 3.3V. Tuy nhiên mức sai lệch chỉ khoảng 0.03V, tức rất sát ngưỡng tiêu chuẩn cho phép và không phải vấn đề đáng lo ngại trong điều kiện sử dụng thực tế.

-50Hz Low load:

-50Hz High load:

-10kHz Low load:

-10kHz High load:

4. Ripple & Noise (Nhiễu AC cao tần)

Mức Ripple & Noise của Elite VS650D V4 được ghi nhận ở mức khá trong phân khúc, với giá trị tối đa dao động khoảng 40mV trên cả bốn đường điện chính. Kết quả này vẫn nằm trong giới hạn tiêu chuẩn ATX cho phép, đảm bảo độ ổn định điện áp khi hệ thống hoạt động.

5. Hold-up Time (Thời gian lưu điện)

Elite VS650D V4 ghi nhận thời gian lưu điện (hold-up time) thấp hơn tiêu chuẩn ATX một chút, tuy nhiên mức chênh lệch là rất nhỏ và gần như không ảnh hưởng đáng kể trong quá trình sử dụng thực tế.

Dù vậy, tín hiệu Power_OK chưa thực sự chuẩn xác theo thông số lý tưởng, điều này có thể ảnh hưởng phần nào đến độ chính xác của quá trình khởi động trong các điều kiện điện áp đầu vào không ổn định.

6. Protection Features (Các chế độ bảo vệ)

Các cơ chế bảo vệ trên Elite VS650D V4 hoạt động ổn định và có độ nhạy tốt trong quá trình thử nghiệm.

Riêng với hai đường 5V và 3.3V, ngưỡng OCP (quá dòng) được thiết lập dựa trên giới hạn chịu đựng tối đa của IC tích hợp trong mạch DC to DC để kích hoạt bảo vệ trước khi IC gặp hư hỏng, thay vì sử dụng điện trở Rshunt để xác định mức cắt dòng cụ thể. Cách thiết kế này vẫn đảm bảo an toàn, tuy nhiên thời điểm kích hoạt bảo vệ có phần hơi trễ so với giải pháp OCP chuyên biệt.

7. Earth Leak Current (Kiểm tra dòng rò)

Đối với các thiết bị CNTT thuộc Class I – trong đó có bộ nguồn máy tính ATX – tiêu chuẩn an toàn quy định dòng rò không được vượt quá 3,5mA khi áp thử nghiệm ở mức khoảng 110% điện áp tối đa mà nhà sản xuất công bố. Trong trường hợp này, mức kiểm tra tương đương 110% của 240VAC, tức khoảng 264VAC @60Hz.

Để đánh giá thông số này, phép đo được thực hiện bằng thiết bị chuyên dụng GW Instek GLC-9000, cho phép xác định chính xác giá trị dòng rò nhằm đảm bảo bộ nguồn đáp ứng yêu cầu an toàn điện.

8. Nhiệt độ làm việc và tốc độ quạt làm mát (Temp & Fan RPM)

• Điều kiện môi trường thử nghiệm: 38–45°C

Trong quá trình vận hành, khu vực có nhiệt độ cao nhất trên Elite VS650D V4 ghi nhận tại ngõ ra biến áp chính và vùng đầu vào của các MOSFET chỉnh lưu đồng bộ, với mức nhiệt dao động khoảng 70°C, vẫn nằm trong ngưỡng an toàn của linh kiện.

Về tốc độ quạt, khi tải nhẹ và nhiệt độ bên trong PSU chưa tăng cao, quạt duy trì ở mức khoảng 1200 vòng/phút (RPM). Khi tải tăng lên, quạt sẽ nhanh chóng đẩy tốc độ lên cao hơn, có thể đạt khoảng 2000 RPM nhằm đảm bảo khả năng tản nhiệt kịp thời cho hệ thống.

Elite VS650D V4 được trang bị quạt làm mát VSP 12V – 0.4A, sử dụng vòng bi Rifle Bearing. Tốc độ quay tối đa của quạt vào khoảng 2000 RPM, đảm bảo cân bằng giữa hiệu quả tản nhiệt và độ ồn trong quá trình vận hành.

IV. Kết luận

VSP Elite VS650D V4 cho thấy sự nâng cấp rõ rệt so với các phiên bản Elite trước đây. Bộ nguồn sở hữu chất lượng điện áp và linh kiện ở mức khá, hiệu suất thực tế đạt 89,62% @230Vac, đúng như cam kết từ nhà sản xuất. Hệ thống cáp được trang bị đầy đủ với 2 đầu cấp nguồn CPU riêng biệt, đáp ứng tốt nhu cầu lắp đặt cho các cấu hình phổ thông đến tầm trung.

Điểm cải tiến đáng chú ý nhất nằm ở việc sử dụng chỉnh lưu đồng bộ cho đường 12V thay cho diode xung truyền thống, kết hợp cùng thiết kế DC to DC, giúp cải thiện đáng kể độ ổn định điện áp và tối ưu hiệu suất chuyển đổi năng lượng. Trong quá trình hoạt động, PSU duy trì mức nhiệt khá mát; tuy nhiên khi vận hành ở full load liên tục, độ ồn từ quạt sẽ tăng lên tương đối rõ rệt.

Nhìn chung, Elite VS650D V4 là lựa chọn phù hợp cho các hệ thống phổ thông và tầm trung sử dụng 01 VGA có công suất dưới 230W.

Ưu điểm:

• Sử dụng tụ điện Nhật Bản
• Chất lượng điện áp ở mức khá
• Hiệu suất thực tế đạt 89,62% @230Vac
• Thiết kế DC to DC (VRMs)
• Quạt làm mát Rifle Bearing

Khuyết điểm:

• Độ ồn tăng cao khi hoạt động ở full load lâu dài